초록 ▼

텅스텐 할로겐 램프를 열원으로 하여 ZMR 방법으로 SOI 구조를 형성할 때에 양질의 결정화된 박막을 얻기 위하여 바람직한 온도 분포를 설정하고, 이러한 온도 분포를 얻기 위한 상부 및 하부 램프로부터의 파위 분포를 계산하는 방법을 제안하였고, 실제 온도분포와 잘 일치함을 알 수 있었다. 또한, Sandblast를 하지 않고도 웨이퍼의 뒷면이 국부적으로 용융되는 현상을 해결할 수 있는 방법을 제시하였으며 웨이퍼 전체의 온도 균일도를 향상시켜 3인치 웨이퍼 전면을 재결정화할 수 있었다. 긴 채널 얇은 SOI NMOSFET 소자의 문턱

텅스텐 할로겐 램프를 열원으로 하여 ZMR 방법으로 SOI 구조를 형성할 때에 양질의 결정화된 박막을 얻기 위하여 바람직한 온도 분포를 설정하고, 이러한 온도 분포를 얻기 위한 상부 및 하부 램프로부터의 파위 분포를 계산하는 방법을 제안하였고, 실제 온도분포와 잘 일치함을 알 수 있었다. 또한, Sandblast를 하지 않고도 웨이퍼의 뒷면이 국부적으로 용융되는 현상을 해결할 수 있는 방법을 제시하였으며 웨이퍼 전체의 온도 균일도를 향상시켜 3인치 웨이퍼 전면을 재결정화할 수 있었다. 긴 채널 얇은 SOI NMOSFET 소자의 문턱 전압 수식을 제안하였고 여러가지 소자 변수들의 넓은 벼무이에서 제안한 문턱 전압값이 3% 이내로 일치함을 2차원 시뮬레이션을 통해 알 수 있었다. 상용의 4인치 SIMOX 웨이퍼로 SOI CMOSFET 표준 공정을 개발하였고 이 공정을 사용하여 SOI 기준 전압 회로를 제작하였으며 -50~75℃ 범위에서 33.8ppm/℃라는 우수한 특성의 온도 변화 계수가 나타났다.

목차 Contents

• 제1장 서론...7
• 제2장 본론...7
• 제3장 결론...26