[보고서]CVD에 의한 양질의 절연막 제작 연구 개발

장진

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[국가R&D연구보고서] CVD에 의한 양질의 절연막 제작 연구 개발

보고서 정보
주관연구기관	한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute
연구책임자	장진
참여연구자	정관수 , 전정목 , 임성실 , 정문연 , 송현균 , 유순성
발행국가	대한민국
언어	한국어
발행년월	1992-02
등록번호	TRKO200500015898
DB 구축일자	2013-04-18

초록

차세대 기억소자 제작에 사용될 수 있는 양질의 thin 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, ON, ONO 막을 remote plasma-CVD 방법으로 제작하는 기술을 개발함(Thermal SiO2와 같은 질의 절연막을 400°C 이하에서 제작함)

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