초록 ▼

1. 최종목표
-웨이퍼 TSV 내에 2시간 이내 Cu 고속 전해도금 충전기술 및 도금장치 개발
2. 개발내용 및 결과
-4‘’,6‘’ Wafer Size의 TSV 내에 2시간 이내로 Cu 고속 전해도금 성공.
-4‘’,6‘’ Wafer Size의 TSV 충전기술 개발 완료.
-4‘’,6‘’ Wafer Size의 TSV용 도금장치 개발 완료.
3. 사업성과
◦ 기술적 성과
-특허 1 출원
-논문 게재 8편
-학술발표
-국제학술대회 6편
-국내학술대회 26편
◦ 경제

1. 최종목표
-웨이퍼 TSV 내에 2시간 이내 Cu 고속 전해도금 충전기술 및 도금장치 개발
2. 개발내용 및 결과
-4‘’,6‘’ Wafer Size의 TSV 내에 2시간 이내로 Cu 고속 전해도금 성공.
-4‘’,6‘’ Wafer Size의 TSV 충전기술 개발 완료.
-4‘’,6‘’ Wafer Size의 TSV용 도금장치 개발 완료.
3. 사업성과
◦ 기술적 성과
-특허 1 출원
-논문 게재 8편
-학술발표
-국제학술대회 6편
-국내학술대회 26편
◦ 경제적 성과
- 고속 Cu 도금장비 개발
- 고속 Cu 도금 process 개발
- 시제품 제작과 그에 따른 사업화 추진 중
◦ 사회적 성과(일자리 창출 등)
- 본 사업의 수행으로 사업인력 충원 (2명)
4. 기술개발결과 활용계획
구 분 사업화 년도
( 2015 )년 (개발종료 후 1년)
( 2016 )년 (개발종료 후 2년)
( 2017 )년 (개발종료 후 3년)
사업화 제품 Cu-filled wafer, 도금장치
Cu-filled wafer, 도금장치
Cu-filled wafer, 도금장치
투자계획(백만원) 1,000 2,000 3,000 판매 계획 (백만원)
내 수 573 882 1,488
수 출 127 318 512
계 700 1,200 2,000
고용 창출(명) 7 15 22
5. 기술개발자료의 보안관리
◦ 보안등급 분류기준에 따른 등급부여 및 관련 의견 기술
- 서울시립대와의 보안등급 기준을 상화 협의 후 그에 맞는 보안수준을 유지하고자 함.
◦ 연구개발의 기술임치 및 특허 출원
등록 실적
- Cu-W 도금액 및 이를 이용한 TSV의 충전 및 돌출억제방법 특허 출원완료
출원번호 : 10-2013-0167259
출원일자 : 2013.12.30

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 개 발 결 과 의 견 서 ... 2
• 최종보고요약서 ... 3
• 최종보고서 작성순서 및 목차 ... 5
• 제 1 장 서론 ... 6
• 제 1 절 기술개발의 개요 ... 6
• 제 2 절 관련기술 현황 ... 14
• 제 2 장 과제 개발 내용 및 방법 ... 25
• 제 1 절 기술개발의 목표 및 달성도 ... 25
• 제 2 절 기술개발 내용 및 방법 ... 29
• 제 3 장 사업성과 ... 67
• 제 1 절 기술적 성과 ... 67
• 제 2 절 경제적 성과 ... 108
• 제 4 장 결론 ... 110
• 제 1 절 6" Wafer 도금장치 개발완료 ... 110
• 제 2 절 2h 내에 6" wafer Cu filling 성공 ... 110
• 제 3 절 향후 계획 ... 110
• 끝페이지 ... 111