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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서울대학교 산학협력단 Seoul National University |
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연구책임자 | 황철성 |
참여연구자 | 조병하 , 이웅규 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2013-03 |
과제시작연도 | 2012 |
주관부처 | 지식경제부 Ministry of Knowledge Economy |
등록번호 | TRKO201700001638 |
과제고유번호 | 1415122184 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2017-09-20 |
키워드 | 이산화티타늄.루테늄.스트론튬타이타네이트.스트론튬 루세네이트.원자층 증착법.디램 커패시터. |
□ 최종목표
20nm 급 이하 초미세 commodity DRAM 및 SoC용 embedded capacitor에 적용 가능한 TiO2 기반의 유전막(ATO, TiO2/HfO2 적층막, SrTiO3)과 그에 상응하는 Ru기반의 전극 물질(Ru, RuO2, SrRuO3)을 ALD 공정을 통해 개발함. 등가 산화막 두께 3.5Å
□ 개발내용 및 결과
TiO2, Al 도핑 TiO<
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