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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
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연구책임자 | 김성근 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2020-03 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202100019356 |
과제고유번호 | 1711083759 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-03-12 |
키워드 | 디램.커패시터.유전체.원자층증착법.베릴륨.밴드갭.준안정상. |
□ 연구개요
- 차세대 DRAM 소자 구현을 위한 고유전 물질 및 증착 공정 기술이 요구됨.
- DRAM 커패시터 유전박막의 핵심 요구 조건은 단위 면적당 높은 정전 용량 및 낮은 누설전류, 얇은 물리적 두께임. 따라서 높은 유전율 이외에 얇은 두께에서도 누설전류 억제가 가능한 높은 밴드갭을 가지는 물질 개발이 요구됨.
- rocksalt BeO은 10 eV 이상의 밴드갭과 200 이상의 높은 유전율을 가지는 물질로 알려져 있으나, 불안정한 결정상으로 현재까지 실험적으로 관찰된 바 없음.
- 반도체 공정 친화적
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