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차세대 반도체 메모리용 고유전율 및 고밴드갭을 동시에 충족하는 유전 박막 신소재 및 원자층 증착법 공정 개발
Development of an atomic layer deposition process and a new material with a high dielectric constant and a large bandgap for next-generation memories 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
연구책임자 김성근
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2020-03
과제시작연도 2019
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
등록번호 TRKO202100019356
과제고유번호 1711083759
사업명 개인기초연구(과기정통부)(R&D)
DB 구축일자 2022-03-12
키워드 디램.커패시터.유전체.원자층증착법.베릴륨.밴드갭.준안정상.

초록

□ 연구개요
- 차세대 DRAM 소자 구현을 위한 고유전 물질 및 증착 공정 기술이 요구됨.
- DRAM 커패시터 유전박막의 핵심 요구 조건은 단위 면적당 높은 정전 용량 및 낮은 누설전류, 얇은 물리적 두께임. 따라서 높은 유전율 이외에 얇은 두께에서도 누설전류 억제가 가능한 높은 밴드갭을 가지는 물질 개발이 요구됨.
- rocksalt BeO은 10 eV 이상의 밴드갭과 200 이상의 높은 유전율을 가지는 물질로 알려져 있으나, 불안정한 결정상으로 현재까지 실험적으로 관찰된 바 없음.
- 반도체 공정 친화적

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 연구결과 요약문 ... 2
  • 목차 ... 3
  • 1. 연구개발과제의 개요 ... 4
  • 1-1. 연구의 필요성 ... 4
  • 1-2. 연구 목표 및 목표 달성을 위한 가설 ... 5
  • 2. 연구수행내용 및 연구결과 ... 5
  • 2-1. BeO를 포함한 복합막 형성을 위한 이성분계 박막의 원자층증착법 공정 확보 ... 5
  • 2-2. 하부 기판 제어를 통한 BeO 박막 상제어 연구 ... 6
  • 2-3. Solid-Solution 형성을 통한 BeO6 원자 구조 안정화 연구 ... 7
  • 2-4. 형성된 BexMg1-xO 박막의 물성 분석 결과 ... 11
  • 2-5. BexMg1-xO 박막의 전기적 특성 개선을 위한 전구체 적용 평가 ... 13
  • 2-6. BexMg1-xO 박막의 증착 온도 제어에 따른 전기적 특성 개선 ... 15
  • 3. 연구개발결과의 중요성 ... 18
  • 4. 참고문헌 ... 19
  • 5. 연구성과 ... 19
  • 대표적 연구실적 ... 20
  • 끝페이지 ... 35

표/그림 (18)

참고문헌 (25)

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