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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
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연구책임자 | 김성근 |
참여연구자 | 황철성 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2018-07 |
과제시작연도 | 2017 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO202200007100 |
과제고유번호 | 1711058697 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2022-09-03 |
키워드 | 디램 커패시터.유전 박막.전극.원자층증착법.산화물. |
3. 개발결과 요약
□ 최종목표
10 nm 급 디자인룰의 DRAM 소자 구현을 위한 유전체 및 전극의 핵심 요소 기술 개발
□ 개발내용 및 결과
고유전율의 박막 형성을 위해 높은 유전율을 갖는 준안정상 구조의 물질에 주목하여, rutile TiO2 및 HfxZryO2 등의 박막을 형성함. 또한 유전 박막의 누설전류 억제를 위해 계면층 제어 등과 함께 박막 내 불순물을 첨가함으로써 유전율 억제는 최소화하며, 누설전류 특성 개선을
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