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NTIS 바로가기본 논문에서는 하프늄-알루미늄 산화막을 사용하여 MFM구조와 MFIS구조의 커패시터를 제작 후에, 두 구조의 강유전특성을 비교 및 분석하였다. MFM구조와 MFIS구조의 열처리 후의 특성은 동일한 경향성을 보였으나, MFIS구조의 Q-V특성에서 왜곡이 나타났다. 다시 말해, 두 구조에서 잔류 분극(remanent polarization: Pr)과 보자력 장(coercive voltage: Ec)이 서로 달랐다. MFM구조 대비 MFIS구조에서 +Pr과 -Ec의 감소가 나타났으며, -Pr과 +Ec는 증가했다. 이러한 현상은 계면층(interfacial layer: ...
저자 | 권예성 |
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학위수여기관 | 亞洲大學校 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 電子工學科 |
지도교수 | 김상완 |
발행연도 | 2020 |
총페이지 | iv, 55장 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T15645463&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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