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DRAM기술의 최신 기술 동향
Recent trend of DRAM technology 원문보기

電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, v.8 no.5, 1995년, pp.648 - 657  

유병곤 (한국전자통신연구소) ,  백종태 (차세대반도체 선행기초 연구 수행) ,  유종선 (한국전자통신연구소) ,  유형준 (한국전자통신연구소)

초록
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정보처리의 다양화, 고속화를 위하여 장래의 집적회로는 다량의 정보를 단시간에 처리하지 않으면 안된다. 종래, 3년에 4배의 고집적화가 실현되어 LSI개발에 기술 견인차의 역할을 하고 있는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 미세화기술의 한계를 우려하면서도 오히려 개발에 박차를 가하고 있다. 이러한 DRAM의 미세, 대용량화에는 미세가공 기술, 새로운 메모리 셀과 트랜지스터 기술, 새로운 회로 기술, 그 이외에 재료박막기술, Computer aided design/Design automation(CAD/DA) 기술, 검사평가기술 혹은 소형팩키지(package)기술등의 광범위한 기술발전이 뒷받침되어 왔다. 그 중에서 미세가공 기술 및 새로운 트랜지스터 기술과 메모리 셀 기술을 중심으로 개발 동향을 살펴보고 최근에 발표된 1Gbit DRAM의 시제품 기술에 대하여 분석해 보기로 한다.

주제어

#미세가공   #리소그래피   #트랜지스터 기술   #셀 기술   #캐퍼시터 구조   #고유전율 박막   #강유전체 박막  

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