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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.22 no.9, 2009년, pp.737 - 740
강민석 (광운대학교 전자재료공학과) , 최창용 (광운대학교 전자재료공학과) , 방욱 (한국전기연구원 에너지반도체연구센터) , 김상철 (한국전기연구원 에너지반도체연구센터) , 김남균 (한국전기연구원 에너지반도체연구센터) , 구상모 (광운대학교 전자재료공학과)
SiC power device possesses attractive features, such as high breakdown voltage, high-speed switching capability, and high temperature operation. In general, device design has a significant effect on the switching characteristics, In this paper, we demonstrated that the switching performance of DMOSF...
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T. Tamaki, Ginger G. Walden, Y. Sui, and James A. Cooper, 'Optimization of on-state and switching performances for 15?20-kV 4H-SiC IGBTs', IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 55, No. 8, p. 1920, 2008
S.-H. Ryu, A. Agarwal, J. Richmond, J. Palmour, N. Saks, and J. Williams, '10 A, 2.4 kV power DiMOSFETs in 4H-SiC', IEEE Electron Device Letters, Vol. 23, No. 6, p. 321, 2002
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K. Matocha, 'Challenges in SiC power MOSFET design', Solid-State Electronics, Vol. 52, No. 6, p. 1631, 2008
S. Inaba, T. Mizuno, M. Iwase, M. Takahashi, H. Niiyama, H. Hazama, M. Yoshimi, and A. Toriumi, 'Inverter performance of 0.10 $\mu$ m CMOS operating at room temperature', IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 41, No. 12, p. 2399, 1994
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