[논문]유한체적법(FVM)의 시뮬레이션을 활용한 LED 벌브의 열 특성 고찰

박경민; 문철희

doi:10.5207/jieie.2014.28.10.001

[국내논문] 유한체적법(FVM)의 시뮬레이션을 활용한 LED 벌브의 열 특성 고찰
Investigation of the Thermal Characteristics of LED Bulb Utilizing Simulation of Finite Volume Method (FVM) 원문보기

照明·電氣設備學會論文誌 = Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers, v.28 no.10, 2014년, pp.1 - 8

박경민 (호서대학교 디지털디스플레이공학과) , 문철희 (호서대학교 디지털디스플레이공학과)

Abstract ▼ AI-Helper

Heat dissipation of the high power LED is a critical issue. To estimate the junction temperature of the LED chip is most important in characterizing the heat dissipation, but it is impossible to directly measure it. In this study, surface temperatures of the 12.8W LED bulb was measured for 5 points using a data logger and compared with the simulated results using a thermal simulator based on FVM (finite volume method) to secure a reliability of the simulation. Effects of some factors such as lens, emissivity and air inlet were investigated using simulation works and then the results were analysed.

주제어

AI 본문요약
AI-Helper

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문제 정의

LED 벌브에 부착된 방사형 히트싱크를 이용한 방열 구조는 자연대류에 의한 방열이 지배적이지만 복사에 의한 열전달 또한 방사형 히트싱크의 방열 성능에 복합적인 영향을 끼치는 중요한 요소이다. 본 연구에서는 방사형 히트싱크의 방사율을 달리하였을때 LED 칩의 정션온도에 영향을 미치는 영향 정도를 확인하기 위하여 열 시뮬레이션을 이용하였다. 여기서 히트싱크의 표면 거칠기는 무시하고 방사율만을 변경하여 칩의 정션온도와 봉지재 표면 온도를 예측하였다.
본 연구에서는 시뮬레이션을 이용하여 히트싱크에 공기 유입구를 설치하는 효과에 대하여 연구를 진행하였다. 공기 유입구로 인하여 히트싱크 내부에 빈 공간이 생성되며, 이를 통하여 MCPCB에서 전달된 열을바로 외부로 방출시키고자 하는 것이 기본적인 아이 디어이다.
본 연구에서는 유한체적법 (FVM; finite volume method)을 이용한 열 시뮬레이션 프로그램인 ANSYS 사의 ICEPAK V13.0 프로그램을 사용하여 LED 벌브에서의 정션온도를 예측하고 이를 낮추기 위한 방법들을 제시하고자 하였다. 또한 본 연구에 서는 초당 600회의 샘플링이 가능하며, 동시에 8포인트의 온도를 측정할 수 있는 채널을 갖춘 장비인 데이터 로거(DT 9828)를 이용하여 LED 벌브의 표면 온도분포를 측정하였고, 이를 시뮬레이션 결과와 비교하였다.

가설 설정

6W가 열로 발생하는 것으로 열원의 크기를 입력하였다. 또한 본 연구에 사용한 LED 벌브는 21개의 칩을 사용하고 있으므로 단위 칩 당 0.457W의 전력이 공급되는 것으로 가정하였다.
시뮬레이션을 위한 메쉬는 Hexahedron 메쉬를 생성하였으며, 물질간의 경계면과 물질과 유체의 경계면 에는 메쉬를 더 많이 생성하여 결과의 신뢰성을 높일수 있도록 Non-conformal 메쉬를 사용하였다. 본 연구에서는 시뮬레이션과 써모커플을 이용한 측정 결과를 비교한 결과 LED 칩으로 공급된 전력의 75%가 열로 발생한다고 가정하여 12.8W 중에서 9.6W가 열로 발생하는 것으로 열원의 크기를 입력하였다. 또한 본 연구에 사용한 LED 벌브는 21개의 칩을 사용하고 있으므로 단위 칩 당 0.
시뮬레이션에서 외부 온도는 20℃, 압력은 대기압, 대류의 조건은 자연대류로 설정하였다. 중력방향은 -Z방향으로 -9.
자연대류의 경우 Rayleigh 수가 109 이상일 경우 난류를 적용하며 이하일 경우에는 층류로 가정하는 것이 일반적인데본 연구에서는 Rayleigh 수가 8×106로 계산되었으므로 층류를 가정하였다.

제안 방법

벌브 중 LED 패키지는 GaN계 청색 LED 칩을 Ag 에폭시를 이용하여 기판의 배선전극인 Al 패드와 연결하였으며, 소자 보호를 위해 황색 형광체와 실리콘 혼합물로 봉지하였다. Cu 전극의 산화 방지와 봉지재 주형을 위하여 세라믹 재질의 측벽으로 LED 칩과봉지재를 둘러싸고 있는 구조로 제작하였다. 패키지 하부에는 MCPCB (Metal Core Printed Circuit Board) 기판을 사용하였고 이를 하부의 히트싱크와 접착한 형태로 제작하였다.
고출력 LED 벌브에서 데이터 로거를 이용하여 5군데의 표면 온도를 측정하였으며 이를 유한체적법(FVM)을 기반으로 하는 열 시뮬레이션을 이용하여 예측한 값과 비교하여 시뮬레이션의 신뢰도를 확보하였다. 이를 바탕으로 LED 벌브에서 정션온도에 미치는 인자들에 대하여 시뮬레이션을 통하여 예측한 결과는 다음과 같다.
LED 벌브의 구성을 살펴보면 MCPCB 기판에 LED 칩이 실장되어 있고 칩을 보호하기 위한 봉지재가 주형되어 있다. 그 외부에는 LED 벌브를 보호하고 발생된 빛을 산란시키기 위한 렌즈가 부착되어 있는데 이 렌즈가 방열 측면에서 어떠한 영향을 미치는지 데이터 로거 측정결과와 열 시뮬레이션 예측 결과를 비교하였다.
7℃로 약 4% 의 오차율을 보였으며 다른 부분에서도 측정과 시뮬레이션 해석 결과가 최대 5% 이내의 오차율을 보였다. 따라서 본 연구에서 선택한 LED 벌브의 열 시뮬레이션 가정은 실제 측정한 값과 일치도를 가지고 있다고 판단되어 이후의 시뮬레이션 작업을 수행하였다.
0 프로그램을 사용하여 LED 벌브에서의 정션온도를 예측하고 이를 낮추기 위한 방법들을 제시하고자 하였다. 또한 본 연구에 서는 초당 600회의 샘플링이 가능하며, 동시에 8포인트의 온도를 측정할 수 있는 채널을 갖춘 장비인 데이터 로거(DT 9828)를 이용하여 LED 벌브의 표면 온도분포를 측정하였고, 이를 시뮬레이션 결과와 비교하였다.
본 연구는 그림 1에 나타낸 바와 같이 COB(Chip On Board) 구조를 가지는 LED 벌브를 대상으로 하였다. 벌브 중 LED 패키지는 GaN계 청색 LED 칩을 Ag 에폭시를 이용하여 기판의 배선전극인 Al 패드와 연결하였으며, 소자 보호를 위해 황색 형광체와 실리콘 혼합물로 봉지하였다. Cu 전극의 산화 방지와 봉지재 주형을 위하여 세라믹 재질의 측벽으로 LED 칩과봉지재를 둘러싸고 있는 구조로 제작하였다.
본 연구에서 대상으로 삼은 LED 벌브는 이와 같이 표면 방사율이 0.9인 히트싱크를 채용하고 있으므로 그림 8에서는 표면처리를 하지 않은 알루미늄의 방사율인 0.1부터 표면 처리한 경우에 얻어진 방사율인 0.9까지 방사율을 변경시키면서 정션온도와 봉지재 표면 온도에 미치는 영향을 시뮬레이션으로 분석하였다. 분석결과에 따르면, 정션온도의 경우 방사율이 0.
그림 3은 본 연구의 시뮬레이션 작업을 위하여 캐비넷을 설정한 조건을 보여준다. 본 연구팀은 기존의 시뮬레이션 경험을 토대로 시뮬레이션에서 기본 경계조건이 해석 결과에 영향을 미치지 않도록 해석 영역을 충분히 크게 설정하여 대류의 계산이 원활하게 이루어지도록 캐비넷 크기를 조절하였다[12].
시뮬레이션에 앞서 LED 벌브 표면의 온도를 써모커플을 이용하여 측정하였고 이를 시뮬레이션 해석결과와 비교하여 시뮬레이션 해석 결과의 신뢰성을 확보하고자 하였다. 이를 위하여 데이터 로거를 이용하여 렌즈를 제거한 LED 벌브의 표면을 그림 4에서와 같이 5군데 즉, 봉지재 표면(A), MCPCB 표면(B), 히트싱크 상부(C), 방열핀(D), 히트싱크 하부(E)에 대하여 온도를 1시간 동안 측정하였다.
시뮬레이션을 위한 메쉬는 Hexahedron 메쉬를 생성하였으며, 물질간의 경계면과 물질과 유체의 경계면 에는 메쉬를 더 많이 생성하여 결과의 신뢰성을 높일수 있도록 Non-conformal 메쉬를 사용하였다. 본 연구에서는 시뮬레이션과 써모커플을 이용한 측정 결과를 비교한 결과 LED 칩으로 공급된 전력의 75%가 열로 발생한다고 가정하여 12.
일반적으로 LED 벌브에 부착된 히트싱크의 재질은 알루미늄이다. 알루미늄의 상온에서의 방사율은 표면처리를 하지 않았을 때 약 0.1인데, 본 연구에 사용된 히트싱크의 경우 알루미늄 표면에 약 100㎛ 두께의 산화피막을 형성하는 아노다이징 처리를 하였으므로 다음과 같은 방법으로 방사율을 평가하였다. 우선 열화상 카메라에서 방사율을 여러 가지로 달리하면서 온도분포를 구하였고, 이를 히트싱크 표면에 부착한 써모커플을 통하여 얻어지는 온도분포와 비교하였다.
본 연구에서는 방사형 히트싱크의 방사율을 달리하였을때 LED 칩의 정션온도에 영향을 미치는 영향 정도를 확인하기 위하여 열 시뮬레이션을 이용하였다. 여기서 히트싱크의 표면 거칠기는 무시하고 방사율만을 변경하여 칩의 정션온도와 봉지재 표면 온도를 예측하였다.
1인데, 본 연구에 사용된 히트싱크의 경우 알루미늄 표면에 약 100㎛ 두께의 산화피막을 형성하는 아노다이징 처리를 하였으므로 다음과 같은 방법으로 방사율을 평가하였다. 우선 열화상 카메라에서 방사율을 여러 가지로 달리하면서 온도분포를 구하였고, 이를 히트싱크 표면에 부착한 써모커플을 통하여 얻어지는 온도분포와 비교하였다. 이와 같은 방법으로 얻어진 히트싱크 표면의 방사율값은 0.
시뮬레이션에 앞서 LED 벌브 표면의 온도를 써모커플을 이용하여 측정하였고 이를 시뮬레이션 해석결과와 비교하여 시뮬레이션 해석 결과의 신뢰성을 확보하고자 하였다. 이를 위하여 데이터 로거를 이용하여 렌즈를 제거한 LED 벌브의 표면을 그림 4에서와 같이 5군데 즉, 봉지재 표면(A), MCPCB 표면(B), 히트싱크 상부(C), 방열핀(D), 히트싱크 하부(E)에 대하여 온도를 1시간 동안 측정하였다.
이와 같은 LED 제품의 방열특성 관리에 있어서는 LED 칩에서 전자와 정공이 재결합하여 빛이 발생하는 영역인 p-n 정션온도를 정확히 파악하는 것이 가장 중요한데 이는 직접적인 측정이 불가능하므로 다음과 같이 간접적으로 측정하는 방법들이 알려져 있다. 첫 번째 방법은 열전달 모델을 통한 정션온도 예측이다. 이는 LED의 순전압(VF)이 온도에 따라 달라지며 그 사이에 직선적인 관계가 있다는 점을 활용하여 정션온도를 예측하는 방식으로 과도열분석법이라 한다[11].

대상 데이터

본 연구는 그림 1에 나타낸 바와 같이 COB(Chip On Board) 구조를 가지는 LED 벌브를 대상으로 하였다. 벌브 중 LED 패키지는 GaN계 청색 LED 칩을 Ag 에폭시를 이용하여 기판의 배선전극인 Al 패드와 연결하였으며, 소자 보호를 위해 황색 형광체와 실리콘 혼합물로 봉지하였다.
Cu 전극의 산화 방지와 봉지재 주형을 위하여 세라믹 재질의 측벽으로 LED 칩과봉지재를 둘러싸고 있는 구조로 제작하였다. 패키지 하부에는 MCPCB (Metal Core Printed Circuit Board) 기판을 사용하였고 이를 하부의 히트싱크와 접착한 형태로 제작하였다.
그림 9에서 (a)의 경우에는 히트싱크 내부 공간에빈 공간을 만들어 유체의 흐름을 발생시키고 이를 히트싱크 측면에 도입한 공기 유입구를 통하여 외부로 방출시키고자 하였다. 홀의 크기는 -3mm이며, 개수는 총 23개이다. 그림 10은 이에 대한 개념도로서 공기 유입구를 도입하면 히트싱크 내부에 갇혀 있던 뜨거운 공기가 대류현상에 의해 외부의 차가운 공기와 교환되는 구조로 방열이 됨을 알 수 있다.

이론/모형

또한 자연대류에서는 유체의 밀도 차이와 중력에 의한 대류현상이 일어나는데 강제대류와 같은 특별한 유체의 흐름이 없어서 상대적으로 복사의 영향이 크게 나타난다. 복사의 경우 DO(Discrete Ordinates) 복사 모델을 적용하였다.

성능/효과

본 연구에서는 그림 7 (a)의 LED 벌브의 렌즈 측면에 그림 7 (b)와 같이 유체의 흐름이 발생할 수 있게 공기 유입구를 만들었는데 그 결과 봉지재의 표면 온도가 약 5℃ 감소함을 확인하였다. 이는 렌즈 측면에 도입한 공기 유입구로 인하여 렌즈 내부에 가두어졌던 뜨거운 공기가 외부로 빠져나가는 유체의 흐름이 생성되었기 때문인 것으로 이해할 수 있다.
그림 6은 LED 벌브에서 렌즈의 유무에 따라 그림 5의 5개 측정 포인트에서의 표면 온도를 비교한 것이다. 데이터 로거 측정치와 시뮬레이션 결과 모두, 렌즈를 채용한 경우에 비하여 렌즈를 제거한 경우 봉지재의 표면 온도가 약 10℃ 감소함을 알 수 있었다. 이는 렌즈를 채용한 LED 벌브의 경우 칩에서 발생된 열이렌즈로 밀폐된 구조로 인하여 밖으로 원활하게 빠져 나가지 못하면, 시간의 경과에 따라 렌즈 내부의 공기가 뜨거워지고 이로 인하여 LED 칩의 온도가 더 상승 하는 것으로 해석할 수 있다.
둘째, 히트싱크 표면의 방사율을 0.1에서 0.9까지 증가시키면 정션온도가 131℃에서 119℃로 12℃ 감소하였으며, 모든 조건에서 봉지재 표면 온도는 정션온도보다 16℃ 낮게 예측되었다.
본 연구에 사용된 LED 벌브는 히트싱크의 표면을 아노다이징 처리하므로 흑체 효과를 내어 복사열의전달이 향상되므로 이와 같이 LED 칩의 정션온도가 12℃ 만큼 감소하는 것으로 해석할 수 있다.
그림 5는 5개 측정 포인트에서 1시간 후에 측정된 온도 수치와 시뮬레이션에서 얻어진 값을 비교한 그래프이다. 봉지재 표면 온도(A)의 경우를 보면, 시뮬레이션과 측정결과가 각각 100.3℃와 104.7℃로 약 4% 의 오차율을 보였으며 다른 부분에서도 측정과 시뮬레이션 해석 결과가 최대 5% 이내의 오차율을 보였다. 따라서 본 연구에서 선택한 LED 벌브의 열 시뮬레이션 가정은 실제 측정한 값과 일치도를 가지고 있다고 판단되어 이후의 시뮬레이션 작업을 수행하였다.
9까지 방사율을 변경시키면서 정션온도와 봉지재 표면 온도에 미치는 영향을 시뮬레이션으로 분석하였다. 분석결과에 따르면, 정션온도의 경우 방사율이 0.1인 경우에는 131℃였던 것이 방사율이 0.9인 경우에는 119℃로 12℃ 만큼 감소함을 알 수 있었다. 봉지재 표면 온도의 경우에는 방사율이 0.
첫째, LED 벌브에서 렌즈를 채용하면 정션온도가 10℃ 증가했으며, 렌즈에 공기 유입구를 채용하면 5℃ 감소할 것으로 예측되었다.

질의응답

핵심어	질문	논문에서 추출한 답변
	LED의 기술적 이슈는 무엇인가?	LED(Light Emitting Diode)는 최근 들어 기존의 형광등, 백열전구, 할로겐전구 등의 조명시장을 완전히 대체하고 있다. LED의 발광효율은 LED의 동작온도에 큰 의존도를 가지며, 입력된 전력의 약 80%가 열로 변환되고 있으므로[1], 발광효율을 더 높이고 LED 칩온도(더 정확히는 p-n 정션온도)를 낮게 유지하는 것이 기술적 이슈이다. 발생된 열을 외부로 충분히 방출 시키지 못한다면 LED의 수명을 감소시킬 뿐만 아니라 방출 파장의 이동 등 다양한 문제점이 발생하므로 [2] 일반적으로 125℃의 방열 지표로 관리하고 있다 [3].
	p-n 정션온도를 간접적으로 측정하는 방법으로 무엇이 있는가?	이와 같은 LED 제품의 방열특성 관리에 있어서는 LED 칩에서 전자와 정공이 재결합하여 빛이 발생하는 영역인 p-n 정션온도를 정확히 파악하는 것이 가장 중요한데 이는 직접적인 측정이 불가능하므로 다음과 같이 간접적으로 측정하는 방법들이 알려져 있다. 첫 번째 방법은 열전달 모델을 통한 정션온도 예측이다. 이는 LED의 순전압(VF)이 온도에 따라 달라지며 그 사이에 직선적인 관계가 있다는 점을 활용하여 정션온도를 예측하는 방식으로 과도열분석법이라 한다[11]. 두 번째 방법은 열 해석 시뮬레이션을 사용 하여 정션온도를 예측하는 방법이다. 시뮬레이션의 경우 직접 소자를 제작하지 않고 다양한 변수로 정션 온도를 예측할 수 있는 장점이 있지만 적절한 가정과 제한조건을 설정하지 않으면 결과의 신뢰성이 떨어지는 문제점이 있다.
	LED의 특징은 무엇인가?	LED(Light Emitting Diode)는 최근 들어 기존의 형광등, 백열전구, 할로겐전구 등의 조명시장을 완전히 대체하고 있다. LED의 발광효율은 LED의 동작온도에 큰 의존도를 가지며, 입력된 전력의 약 80%가 열로 변환되고 있으므로[1], 발광효율을 더 높이고 LED 칩온도(더 정확히는 p-n 정션온도)를 낮게 유지하는 것이 기술적 이슈이다. 발생된 열을 외부로 충분히 방출 시키지 못한다면 LED의 수명을 감소시킬 뿐만 아니라 방출 파장의 이동 등 다양한 문제점이 발생하므로 [2] 일반적으로 125℃의 방열 지표로 관리하고 있다 [3].

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