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원자층 증착법을 적용한 리튬 이온 전지 연구 동향
Recent Progress on the Application of Atomic Layer Deposition for Lithium Ion Batteries 원문보기

한국분말야금학회지 = Journal of Korean Powder Metallurgy Institute, v.23 no.2, 2016년, pp.170 - 176  

김동하 (서울과학기술대학교 신소재공학과) ,  최병준 (서울과학기술대학교 신소재공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Lithium-ion batteries (LIBs) are rapidly improving in capacity and life cycle characteristics to meet the requirements of a wide range of applications, such as portable electronics, electric vehicles, and micro- or nanoelectro-mechanical systems. Recently, atomic layer deposition (ALD), one of the v...

주제어

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문제 정의

  • 본 연구에서는 ALD 기술을 액체 전해질을 사용하는 LIB에 적용해 LIB의 안정성과 효율을 증대시킨 여러 연구 결과에 대해 소개했다. ALD 기술은 나노 구조화된 전극 물질의 표면을 균일하게 코팅함으로써, 전기화학 반응에 의한 LIB의 열화 문제를 막거나, 열에 의한 부피 팽창 수축에 따른 기계적 파괴를 완화 시키는 데 주로 적용 되었다.
  • LIB 연구 분야에서도 점차 ALD 기술을 접목하고자 하는 연구가 꾸준히 발표 되고 있다. 본 연구에서는 Knoops 등에 의해 2012년 발표된 리뷰 논문의 구분 형식을 차용해 ALD 기술이 적용된 LIB 연구의 최신 동향을 정리해 보고자 한다[1]. 이에 따라 2.
  • 그림 3의 그래프를 보면 Al2O3와 같은 보호막을 형성 시켜주면, 코팅된 보호막이 분말 전극의 접착력을 향상시켜주고, 부피 변화를 완화시켜 주어 수명이 증대되는 현상을 확인 할 수 있다. 이 논문은 코팅의 효과를 비교하기 위해 크게 두 가지 방법으로 코팅하였다. 코팅한 분말을 전극으로 사용하는 방법과, 분말로 전극을 형성한 후 코팅하는 방법으로 나누어서 실험을 하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
원자층 증착법이란 무엇인가? 한편 원자층 증착법(atomic layer deposition; 이하 ALD)은 Å 단위에서의 두께 조절이 가능하고 단차 피복성이 높아 복잡한 형상에서도 균일한 박막을 성장시킬 수 있는 박막 형성 기술이다. 이미 10 여 년 전부터 반도체 산업에서 DRAM과 같은 메모리의 축전기, 트랜지스터 게이트용 산화막, 금속 전극의 성장을 위한 시드층 형성을 위해 ALD 기술이 쓰이고 있으며, 소자의 초소형화 및 미세화, 고집 적화를 위해서 ALD 기술의 적용 영역이 더욱 확대 되고 있다[5].
리튬 이온 전지가 고효율의 에너지 저장 및 공급 소자로 널리 쓰이는 이유는? 리튬 이온 전지(Lithium-ion battery; 이하 LIB)는 재충전이 가능하고 휴대가 용이하며 출력이 높아, 전기자동차, 휴대용 전자 기기, 초소형 기전 소자 등을 구동 시키기 위한 고효율의 에너지 저장 및 공급 소자로 널리 쓰이고 있다. 응용 기기의 휴대성과 편의성을 증진 시키기 위해서, 보다 높은 전하 저장 능력과 높은 출력, 짧은 충전 시간과긴 수명을 갖는 LIB가 요구되고 있다.
LIB의 성능을 높이는 과정에서 부피변화 시 균열이 발생하면 어떠한 부작용이 생기는가? 둘째, 전극의 부피변화율을 줄이고, 부피변화 시 발생하는 균열을 방지해야 한다. 균열이 발생하면 전극이 파괴되어 유실되고, 이에 따라 용량이 감소하기 때문이다. 셋째, 전극의 이온 저장성을 높여야 한다.
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참고문헌 (44)

  1. H. C. M. Knoops, M. E. Donders, M. C. M. van de Sanden, P. H. L. Notten and W. M. M. Kessels: J. Vac. Sci. Technol. A Vacuum, Surfaces, Film., 30 (2012) 010801. 

  2. O. Nilsen, V. Miikkulainen, K. B. Gandrud, E. Ostreng and A. Ruud: Phys. Status Solidi Appl. Mater. Sci., 211 (2014) 357. 

  3. X. Wang and G. Yushin: Energy Environ. Sci., 8 (2015) 1889. 

  4. P. H. L. Notten, F. Roozeboom, R. A. H. Niessen and L. Baggetto: Adv. Mater., 19 (2007) 4564. 

  5. J. H. Park, J. Seo, S. Park, S. S. Shin, Y. C. Kim, N. J. Jeon, H.-W. Shin, T. K. Ahn, J. H Noh, S. C. Yoon, C. S. Hwang and S. I. Seok: Adv. Electron. Mater., 27 (2015) 4013. 

  6. C. Marichy, M. Bechelany and N. Pinna: Adv. Mater., 24 (2012) 1017. 

  7. A. M. Schwartzberg and D. Olynick: Adv. Mater., 27 (2015) 5778. 

  8. S. M. George: Chem. Rev., 110 (2010) 111. 

  9. H. Kim, H.-B.-R. Lee and W.-J. Maeng: Thin Solid Films, 517 (2009) 2563. 

  10. L. Fu, H. Liu, C. Li, Y. Wu, E. Rahm, R. Holze and H. Wu: Prog. Mater. Sci., 50 (2005) 881. 

  11. S. W. Kim, T. H. Han, J. Kim, H. Gwon, H. S. Moon, S. W. Kang, S. O. Kim and K. Kang: ACS Nano, 3 (2009) 1085. 

  12. L. A. Riley, A. S. Cavanagh, S. M. George, Y. S. Jung, Y. Yan, S. H. Lee and A. C. Dillon: ChemPhysChem, 11 (2010) 2124. 

  13. M. Q. Snyder, S. A. Trebukhova, B. Ravdel, M. C. Wheeler, J. DiCarlo, C. P. Tripp and W. J. DeSisto: J. Power Sources, 165 (2007) 379. 

  14. Y. S. Jung, A. S. Cavanagh, Y. Yan, S. M. George and A. Manthiram: J. Electrochem. Soc., 158 (2011) A1298. 

  15. J. Liu, M. N. Banis, Q. Sun, A. Lushington, R. Li, T. K. Sham and X. Sun, Adv. Mater., 26 (2014) 6472. 

  16. H. Chen, Q. Lin, Q. Xu, Y. Yang, Z. Shao and Y. Wang: J. Memb. Sci., 458 (2014) 217. 

  17. Y. S. Jung, A. S. Cavanagh, L. Gedvilas, N. E. Widjonarko, I. D. Scott, S.-H. Lee, G.-H. Kim, S. M. George and A. C. Dillon: Adv. Energy Mater., 2 (2012) 1022. 

  18. N. P. Dasgupta, X. Meng, J. W. Elam and A. B. F. Martinson: Acc. Chem. Res., 48 (2015) 341. 

  19. E. Kang, Y. S. Jung, A. S. Cavanagh, G. H. Kim, S. M. George, A. C. Dillon, J. K. Kim and J. Lee: Adv. Funct. Mater., 21 (2011) 2430. 

  20. D. Ahn and R. Raj: J. Power Sources, 195 (2010) 3900. 

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  41. S. Tian, A. Xing, H. Tang, Z. Bao and G. Wu: J. Mater. Chem. A, 2 (2014) 2896. 

  42. J. Zhao, G. Qu, J. C. Flake and Y. Wang: Chem. Commun., 48 (2012) 8108. 

  43. J. Zhao and Y. Wang: Nano Energy, 2 (2013) 882. 

  44. X. Meng, D. J. Comstock, T. T. Fister and J. W. Elam: ACS Nano, 8 (2014) 10963. 

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