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NTIS 바로가기전기화학회지 = Journal of the Korean Electrochemical Society, v.20 no.1, 2017년, pp.1 - 6
This study investigated the effect of surface pretreatment, which removes native Cu oxides on Cu seed layer, on subsequent Cu electro-/electroless deposition in Cu interconnection. The native Cu oxides were removed by using citric acid-based solution frequently used in Cu chemical mechanical polishi...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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소자의 신호 전달 속도에 영향을 주는 인자에는 어떤 것들이 있는가? | 반도체의 고집적화는 전자신호 경로를 단축시켜 신호전달 속도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 웨이퍼(wafer)당 생산 가능한 소자의 개수를 증가시켜 소자의 생산 단가를 절감할 수 있다. 소자의 신호 전달 속도에 영향을 주는 인자에는 크게 트랜지스터의 게이트 지연(gate delay)과 배선에 서의 저항-축전량 지연(resistance-capacitance delay, RC delay)이 있는데, 소자의 집적화가 진행됨에 따라 게이트 지연에 비해 금속 배선의 저항과 절연체에 영향을 받는 저항-축전량 지연의 영향이 크게 증가하였다.1) 이에 다마신 공정(damascene process)의 도입과 함께 기존 배선 재료였던 알루미늄(2. | |
Cu 다마신 공정은 어떤 공정을 이용하는가? | Cu 다마신 공정에서는 배선 방법으로 습식 공정인 전해 전착(electrodeposition) 또는 무전해 전착 (electroless deposition)을 이용한다. 전해 전착은 외부에서 전기적 에너지를 가하여 수용액 상의 금속 이온을 기판 위에 석출시키는 방법이며, 무전해 전착은 외부의 전기적 에너지가 아닌 환원제의 산화 반응을 이용하여 금속 이온을 환원시키는 방법이다. | |
CA와 H2O2조합을 이용하여 구리 산화물을 제거했을때 면저항이 감소한 이유는? | CA와 H2O2조합을 이용하여 구리 산화물을 제거하였을 경우 면저항이 약 8% 증가하였고, CA 용액으로 구리 산화물을 제거하였을 경우에는 면저항이 약 2% 가량 감소하였다. 이는 두 표면 전처리 용액의 구리 식각 속도(etch rate) 차이에 의한 구리 박막 두께 감소와 표면 거칠기(Rrms)의 증가가 기인한 것으로 판단된다. CA와 H2O2조합 용액의 구리 식각 속도는 약 2 nm/ min으로, 표면 전처리 후 구리 씨앗층의 표면 거칠기 (Rrms)가 1. |
"The National Technology Roadmap for Semiconductors",11, 1997 Edition, Semiconductor IndustryAssociation, Washington D.C., USA (1997).
T. Lim, K. J. Park, M. J. Kim, H.-C. Koo, and J. J. Kim, 'Real-Time Observation of Cu Electroless Deposition Using OCP Measurement Assisted by QCM' J. Electrochem. Soc., 159, D724 (2012).
T. Lim, K. J. Park, M. J. Kim, H.-C. Koo, K. H. Kim, S. Choe, and J. J. Kim, 'Real-Time Observation of Cu Electroless Deposition: Synergetic Suppression Effect of 2,2'-dipyridyl and 3-N,N'-Dimethylaminodithio-carbamoyl-1-propanesulfonic Acid' J. Electrochem. Soc., 161, D135 (2014).
International Technology Roadmap for Semiconductors Reports 2.0 More Moore, 32, 2015 Edition, International Technology Roadmap for Semiconductors (2015).
V. R. K. Gorantla, K. A. Assiongbon, S. V. Babu, and D. Roy, 'Citric Acid as a Complexing Agent in CMP of Cu - Investigation of Surface Reactions Using Impedance Spectroscopy' J. Electrochem. Soc., 152, G404 (2005).
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