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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.36 no.1, 2023년, pp.23 - 28
손영서 (충북대학교 전자공학부) , 이광선 (충북대학교 전자공학부) , 김유진 (충북대학교 전자공학부) , 박준영 (충북대학교 전자공학부)
This paper demonstrates a novel NAND flash memory structure and annealing configuration including through-silicon via (TSV) inside the silicon substrate to improve annealing efficiency using an electro-thermal annealing (ETA) technique. Compared with the conventional ETA which utilizes WL-to-WL curr...
C. M. Compagnoni, A. Goda, A. S. Spinelli, P. Feeley, A. L.?Lacaita, and A. Visconti, Proc. IEEE, 105, 1609 (2017). [DOI:?https://doi.org/10.1109/JPROC.2017.2665781]
J.-H. Jang, H.-S Kim, W.-S Cho, H.-S Cho, J.-H Kim, S.-I Shim,?Younggoan, J.-H. Jeong, B.-K Son, D.-W Kim, Kihyun, J.-J.?Shim, J.-S. Lim, K.-H. Kim, S.- Y. Yi, J.-Y. Lim, D.-W Chung,?H.-C. Moon, S.-M Hwang, J.-W Lee, Y.-H. Son, U.-I.Chung?and W.-S. Lee, Proc. 2007 IEEE Symp. VLSI Technol. pp.192-193.
K. Onishi, C.-S. Kang, R. Choi, H.-J. Cho, S. Gopalan, R.E.?Nieh, S.A. Krishnan, and J.C. Lee, Proc. IEEE T. Electron Dev.,?50, 384 (2003). [DOI: https://doi.org/10.1109/TED.2002.807447]
J.-Y. Park, D.-H. Yun, S.-Y. Kim, and Y.-K. Choi, IEEE Electr.?Device L., 40, 212 (2019). [DOI: https://doi.org/10.1109/LED.2018.2889037]
D.-H. Jung, K.-S. Lee, and J.-Y. Park, J. Semicond. Technol.?Sci., 21, 334 (2021). [DOI: https://doi.org/10.5573/JSTS.2021.21.5.334]
J.-Y. Park, D.-I. Moon, M.-L. Seol, C.-K. Kim, C.-H. Jeon, H.?Bae, T. Bang, and Y.-K. Choi, IEEE T. Electron Dev., 63, 910?(2016). [DOI: https://doi.org/10.1109/TED.2015.2513744]
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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