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Effect of Li-doping on low temperature solution-processed indium-zinc oxide thin film transistors
Thin solid films, v.641, 2017년, pp.19 - 23
Han, S.Y. , Nguyen, M.C. , Nguyen, A.H.T. , Choi, J.W. , Kim, J.Y. , Choi, R.
Abstract
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Lithium (Li)-doped indium zinc oxide (IZO) thin film transistors (TFTs) were fabricated on solution-processed zirconium oxide gate dielectrics using a low temperature all solution process. Li-doping in IZO thin films led to higher crystallinity, even at process temperature lower than 300 degrees C, ...
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참고문헌 (30)
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- DOI : 10.1016/j.tsf.2017.05.024
- Elsevier : 저널 > 논문
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