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NTIS 바로가기대한전기학회 1988년도 추계학술대회 논문집 학회본부, 1988 Nov. 25, 1988년, pp.363 - 367
박민형 (서울대학교 전기공학과) , 한민구 (서울대학교 전기공학과)
A simple analytical model for the lateral channel electric field in gate - offset structured Lightly Doped Drain MOSFET has been developed. The model's results agree well with two dimensional device simulations. Due to its simplicity, our model gives a better understanding of the mechanisms involved...
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