초록 ▼

본 발명은 융점이 다른 두 금속을 박막층으로 형성하기 위한 금속박막 제조방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 소자 제조시 금속막증착에 있어서 이중보호막의 사용자 대용융 재결정법을 이용하여 높은 전자이동도를 가지는 InSb박막을 형성하기 위한 제조방법을 개시한 것이다.본 발명에 의한 높은 전자이동도를 가지는 InSb박막의 제조방법은 실리콘 기판 위에 열산화막을 형성하고 인듐과 안티몬을 순차적으로 열증착시킨 후, SiO2층과 In2O3층을 제1 및 제2보호막으로 형성하여 대용융 재결정법을 이용하여 열처리 함으로써 반도체소자의 높은 전자이

본 발명은 융점이 다른 두 금속을 박막층으로 형성하기 위한 금속박막 제조방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 소자 제조시 금속막증착에 있어서 이중보호막의 사용자 대용융 재결정법을 이용하여 높은 전자이동도를 가지는 InSb박막을 형성하기 위한 제조방법을 개시한 것이다.본 발명에 의한 높은 전자이동도를 가지는 InSb박막의 제조방법은 실리콘 기판 위에 열산화막을 형성하고 인듐과 안티몬을 순차적으로 열증착시킨 후, SiO2층과 In2O3층을 제1 및 제2보호막으로 형성하여 대용융 재결정법을 이용하여 열처리 함으로써 반도체소자의 높은 전자이동도를 가지는 InSb박막을 형성할 수 있게 된다.

대표청구항 ▼

실리콘 기판 위에 열산화막을 소정 두께까지 성장시키는 열산화막 성장단계와, 상기 열산화막 위에 인듐(In)을 소정 범위 내의 두께로 변환시키면서 열증착시키는 제1열증착단계와 ; 상기 열증착된 인듐(In)층 위에 안티몬(Sb)을 소정 범위 내의 두께로 변환시키면서 열증착시키는 제2열증착단계와 ; 상기 열증착된 안티몬(Sb)층 위에 보호막을 형성하기 위해 SiO2를 소정 두께로 스퍼터링하는 제1보호막 형성단계와 ; 상기 스퍼터링된 SiO2 보호막 위에 In2O3를 증착시켜 소정 두께로 In2O3층을 형성시키는 제2보호막 형성단계 ; 및

실리콘 기판 위에 열산화막을 소정 두께까지 성장시키는 열산화막 성장단계와, 상기 열산화막 위에 인듐(In)을 소정 범위 내의 두께로 변환시키면서 열증착시키는 제1열증착단계와 ; 상기 열증착된 인듐(In)층 위에 안티몬(Sb)을 소정 범위 내의 두께로 변환시키면서 열증착시키는 제2열증착단계와 ; 상기 열증착된 안티몬(Sb)층 위에 보호막을 형성하기 위해 SiO2를 소정 두께로 스퍼터링하는 제1보호막 형성단계와 ; 상기 스퍼터링된 SiO2 보호막 위에 In2O3를 증착시켜 소정 두께로 In2O3층을 형성시키는 제2보호막 형성단계 ; 및 상기 각단계를 거쳐 형성된 박막을 대용융 재결정법을 이용하여 열처리하는 열처리단계 ; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 InSb박막 제조방법.