초록 ▼

본 발명은 홀소자에 사용되는 InSb박막의 제조방법에 관한 것으로, 홀소자용 InSb박막의 제조시 In과 Sb를 교차증발시켜 다층의 박막층을 형성시킨 후, 존멜팅 처리하므로서 InSb증착막의 특성이 우수할 뿐만 아니라 제조비용이 저렴하고공정관리가 용이한 홀소자용 InSb박막의 제조방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.상기한 목적을 달성하기 위한 본발명은 진공도가 5×10-7 Torr 이하로 유지되는 챔버내의 기판홀더에 장착된 기판을 20∼200℃의 온도범위로 유지한후, 증발원상의 In및 Sb를 증발시키는 단계; 상기 챔버내의

본 발명은 홀소자에 사용되는 InSb박막의 제조방법에 관한 것으로, 홀소자용 InSb박막의 제조시 In과 Sb를 교차증발시켜 다층의 박막층을 형성시킨 후, 존멜팅 처리하므로서 InSb증착막의 특성이 우수할 뿐만 아니라 제조비용이 저렴하고공정관리가 용이한 홀소자용 InSb박막의 제조방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.상기한 목적을 달성하기 위한 본발명은 진공도가 5×10-7 Torr 이하로 유지되는 챔버내의 기판홀더에 장착된 기판을 20∼200℃의 온도범위로 유지한후, 증발원상의 In및 Sb를 증발시키는 단계; 상기 챔버내의 진공도를 0.1∼7×10-6 Torr 범위로 유지한후, In과 Sb를 3∼15Å/sec의 속도범위로 교차증발시켜, 기판과 접하는 최하층 및 최상층이 내부 In층의 1/2두께인 In층이고 적층된 In및 Sb의 전체층이 0.8∼1.5㎛두께 범위이고 In및 Sb의 최종 성분비가 1 : 0.95∼1.05 범위가 되도록,기판상에 In 및 Sb를 교차적층하여 증착시키는 단계;및 In및 Sb가 증착된 기판을 500∼650℃의 온도범위에서 존의폭을 5∼30mm범위로 하고 이동속도를 0.5∼10mm/sec의 범위로 하여 1∼5회 반복하여 존멜팅(Zone melting)하는 단계를 포함하여 이루어지는 홀소자용 InSb박막의 제조방법에 관한 것을 그 요지로 한다.

대표청구항 ▼

진공도가 5×10-7Torr 이하로 유지되는 챔버내의 기판홀더에 기판을 장착하여 20∼200℃의 온도범위로 유지한 후, 증발원상의 In 및 Sb를 증발시키는 단계; 상기 챔버내의 진공도를 0.1∼7×10-6Torr 범위로 유지한후, In과 Sb를 3∼15Å/sec의 속도범위로 교차증발시켜, 기판과 접하는 최하층 및 최상층이 내부 In층의 1/2두께인 In층이고 적층된 In 및 Sb의 전체층이 0.8∼1.5㎛두께 범위이고 In 및 Sb의 최종성분비가 1:0.95∼1.05 범위가 되도록, 기판상에 In 및 Sb를 교차적층하여 증착시키는

진공도가 5×10-7Torr 이하로 유지되는 챔버내의 기판홀더에 기판을 장착하여 20∼200℃의 온도범위로 유지한 후, 증발원상의 In 및 Sb를 증발시키는 단계; 상기 챔버내의 진공도를 0.1∼7×10-6Torr 범위로 유지한후, In과 Sb를 3∼15Å/sec의 속도범위로 교차증발시켜, 기판과 접하는 최하층 및 최상층이 내부 In층의 1/2두께인 In층이고 적층된 In 및 Sb의 전체층이 0.8∼1.5㎛두께 범위이고 In 및 Sb의 최종성분비가 1:0.95∼1.05 범위가 되도록, 기판상에 In 및 Sb를 교차적층하여 증착시키는 단계; 및 In 및 Sb를 교차적층하여 증착시키는 단계; 및 In 및 Sb가 증착된 기판을 500∼650℃의 온도범위에서 존의폭을 5∼30mm범위로 하고 이동속도를 0.5∼10mm/sec의 범위로 하여 1∼5회 반복하여 존멜팅(Zone melting)하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 홀소자용 InSb박막이 제조방법.