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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1997-0075075 (1997-12-27) |
공개번호 | 10-1999-0055163 (1999-07-15) |
등록번호 | 10-0291181-0000 (2001-03-08) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019970075075 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1998-05-29) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 층간절연막 형성시 발생하는 수소가 강유전체 박막으로 흡입되는 것을 방지하여 강유전 특성 저하를 방지할 수 있는 강유전체 캐패시터 형성 방법으로, 강유전체막을 SrBi2-xTa2O9-x막으로 보호하여 층간절연막 형성 공정시 발생하는 수소가 강유전체막으로 흡입되는 것을 방지하여 강유전체 박막이 일정한 잔류분극을 비교적 장시간에 유지할 수 있도록 함으로써 강유전체 캐패시터 특성을 향상시키는 방법이다.
반도체 기판 상에 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극 상에 제1 강유전체막을 형성하는 단계;상부전극과 접합될 부분을 제외한 나머지 부분의 제1 강유전체막을 감싸는 제2 강유전체막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 강유전체막과 접하도록 상부전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 강유전체 캐패시터 형성 방법.
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