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[한국특허] 강유전체 메모리 소자 제조방법
METHOD FOR FORMING FERROELECTRIC CAPACITOR
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IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-027/04
출원번호 10-1997-0075075 (1997-12-27)
공개번호 10-1999-0055163 (1999-07-15)
등록번호 10-0291181-0000 (2001-03-08)
DOI http://doi.org/10.8080/1019970075075
발명자 / 주소
  • 김남경 / 경기도 이천시 부발읍 아미리 현대전자사원아파트***동 ****동
  • 유인규 / 경기도 이천시 대월면 사동리 현대아파트 ***-****호
출원인 / 주소
  • 주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산***-*
대리인 / 주소
  • 특허법인 신성 (Shinsung Patent Firm)
  • 서울 송파구 가락동 **-*번지 **타워 ***호
심사청구여부 있음 (1998-05-29)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 층간절연막 형성시 발생하는 수소가 강유전체 박막으로 흡입되는 것을 방지하여 강유전 특성 저하를 방지할 수 있는 강유전체 캐패시터 형성 방법으로, 강유전체막을 SrBi2-xTa2O9-x막으로 보호하여 층간절연막 형성 공정시 발생하는 수소가 강유전체막으로 흡입되는 것을 방지하여 강유전체 박막이 일정한 잔류분극을 비교적 장시간에 유지할 수 있도록 함으로써 강유전체 캐패시터 특성을 향상시키는 방법이다.

대표청구항

반도체 기판 상에 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극 상에 제1 강유전체막을 형성하는 단계;상부전극과 접합될 부분을 제외한 나머지 부분의 제1 강유전체막을 감싸는 제2 강유전체막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 강유전체막과 접하도록 상부전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 강유전체 캐패시터 형성 방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [일본] SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURE | ITO YASUYUKI, USHIKUBO MAHO, YOKOYAMA SEIICHI, KOBA MASAYOSHI
  2. [한국] 강유전체를 가진 캐패시터를 포함하는 반도체 디바이스 및 그의 제조방법 | 로베르투스아드리아누스마리아볼터스, 폴크예르비라르센, 매튜요셉엠마누엘울레내르스

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