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정전척의 쿨링 구조 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/68
출원번호 10-1999-0050325 (1999-11-12)
공개번호 10-2001-0046528 (2001-06-15)
DOI http://doi.org/10.8080/1019990050325
발명자 / 주소
  • 이기성 / 경기도수원시팔달구원천동원천주공******동***호
출원인 / 주소
  • 삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 매탄동 ***
대리인 / 주소
  • 권혁수; 임창현 (KWON, HYUK SOO)
  • 서울 강남구 역삼동 ***-** *층(고려국제특허법률사무소); 서울 강남구 역삼동 ***-** *층 (고려국제특허법률사무소)
심사진행상태 취하(심사미청구)
법적상태 취하

초록

본 발명은 반도체 제조 공정에서 웨이퍼를 고정하는데 사용되는 정전척(electro static chuck)에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 정전척에 흡착된 웨이퍼를 쿨링하기 위한 구조를 갖는 반도체 제조에 사용되는 정전척에 관한 것이다. 반도체 제조 공정에서 웨이퍼를 고정하는데 사용되는 정전척은 웨이퍼가 로딩되어 흡착되는 상면과, 이 상면의 중심부분에 형성되고 웨이퍼의 백사이드로 쿨링 가스가 플로우되는 제 1 홀들과, 상면의 가장자리부분에 형성되고 웨이퍼의 백사이드로 쿨링 가스가 플로우되는 제 2 홀들 및 상면의 중심부분과 가장

대표청구항

반도체 제조 공정에서 웨이퍼를 고정하는데 사용되는 정전척에 있어서:웨이퍼가 로딩되어 흡착되는 상면과;상기 상면의 중심부분에 형성되고 상기 웨이퍼의 백사이드로 쿨링 가스가 플로우되는 제 1 홀들과;상기 상면의 가장자리부분에 형성되고 상기 웨이퍼의 백사이드로 쿨링 가스가 플로우되는 제 2 홀들 및;상기 상면의 중심부분과 가장자리부분의 중간부분에 형성되고 상기 웨이퍼의 백사이드로 쿨링 가스가 플로우되는 제 3 홀들을 포함하여, 웨이퍼의 백사이드로 균일하게 쿨링 가스가 플로우되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 사용되는 정전척.

발명자의 다른 특허 :

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