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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2004-0085807 (2004-10-26) |
공개번호 | 10-2004-0103821 (2004-12-09) |
등록번호 | 10-0506098-0000 (2005-07-27) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020040085807 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2004-10-26) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 하프늄 산화막 형성용 전구체 및 상기 전구체를 이용한 하프늄 산화막의 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전기적 특성을 개선하면서 저온증착이 가능하고, 증착속도가 향상되며, 향상된 단차 피복성을 나타내는 하프늄 산화막 형성용 전구체, 상기 전구체를 이용한 하프늄 산화막의 형성방법 및 상기 형성방법에 따라 얻어진 하프늄 산화막을 채용한 커패시터와 트랜지스터 및 이들을 구비한 전자소자에 관한 것이다.
HFCL4와 질소화합물이 결합된 화합물을 유기용매에 희석하여 액상의 전구체를 형성하는 단계;기판을 반응기 내로 로딩한 후, 상기 액상의 전구체를 기화기를 통하여 반응기로 공급하여 기판 표면에 흡착시키는 단계; 불활성 기체를 사용하여 상기 반응기를 퍼징하는 단계;상기 반응기에 산화제를 공급하여 상기 기판 표면에 흡착된 결과물을 산화시킴으로써 상기 기판 상에 원자층을 증착시키는 단계; 및불활성 기체를 사용하여 상기 반응기를 퍼징하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 하프늄 산화막의 형성방법.
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