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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2006-0072180 (2006-07-31) |
등록번호 | 10-0779387-0000 (2007-11-19) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020060072180 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2006-07-31) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 반도체 소자의 MIM 커패시터 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 구리금속을 배선재료로 사용하는 다층 금속 배선 공정에서 상부 금속과 하부 금속으로 커패시터를 제작하는 반도체 소자의 MIM 커패시터 제조 방법에 관한 것이다.상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 MIM 커패시터 제조 방법은 하부 금속 배선이 형성된 반도체 기판 상에 확산방지막, 4000 ~ 6000Å 두께의 제1절연막을 순차로 증착시키는 제1 단계; 하부 도전층, 유전막, 상부 도전층, 그리고 식각 정지막을 순차로 증착하는
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