초록

반도체 플라즈마 처리 장치에서 기판 아킹을 검출하는 방법이 제공된다. 기판은 플라즈마 처리 장치의 반응 챔버에서 기판 지지부 상에 위치된다. 처리 가스는 반응 챔버로 주입된다. 처리 가스로부터 플라즈마가 발생되고, 기판이 이 플라즈마로 프로세싱된다. 플라즈마 처리 동안 반응 챔버에서 생성된 선택 가스종의 실시간 분석 신호의 강도가 모니터링된다. 선택 가스종들은 기판 아킹 이벤트에 의해 생성된다. 아킹 이벤트는 강도가 임계값을 넘는 경우 검출된다.

대표청구항 ▼

반도체 플라즈마 처리 장치에서 기판 아킹 (arching) 을 검출하기 위한 방법으로서,플라즈마 처리 장치의 반응 챔버 내의 기판 지지부 상에 기판을 위치시키는 단계;상기 반응 챔버에 처리 가스를 도입하는 단계;상기 처리 가스로부터 플라즈마를 생성하는 단계;상기 플라즈마에 의해 상기 기판을 처리하는 단계;플라즈마 처리 동안 상기 반응 챔버에서 생성된 선택 가스종들(selected gas species) 의 실시간 질량 분석 (spectrometry) 신호들의 강도들을 모니터링하는 단계로서, 상기 선택 가스종들은 기판 아킹 이벤트에

반도체 플라즈마 처리 장치에서 기판 아킹 (arching) 을 검출하기 위한 방법으로서,플라즈마 처리 장치의 반응 챔버 내의 기판 지지부 상에 기판을 위치시키는 단계;상기 반응 챔버에 처리 가스를 도입하는 단계;상기 처리 가스로부터 플라즈마를 생성하는 단계;상기 플라즈마에 의해 상기 기판을 처리하는 단계;플라즈마 처리 동안 상기 반응 챔버에서 생성된 선택 가스종들(selected gas species) 의 실시간 질량 분석 (spectrometry) 신호들의 강도들을 모니터링하는 단계로서, 상기 선택 가스종들은 기판 아킹 이벤트에 의해 생성되는, 상기 모니터링하는 단계; 및상기 강도들이 임계값을 넘는 경우 상기 기판 아킹 이벤트를 검출하는 단계를 포함하는, 기판 아킹 검출 방법.