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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0175285 (2017-12-19) | |
공개번호 | 10-2019-0073978 (2019-06-27) | |
등록번호 | 10-2072167-0000 (2020-01-23) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170175285 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2017-12-19) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
높은 항복전압을 가지면서, 고품질의 에피 성장, 대형 사이즈 기판으로의 제작이 가능할 뿐만 아니라, 생산 수율은 높으면서 생산 단가는 낮출 수 있는 HVPE 성장법을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법에 대하여 개시한다.본 발명에 따른 HVPE 성장법을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법은 (a) 기판의 표면을 식각하는 단계; 및 (b) 상기 기판 상에 GaCl을 증착하여 전처리하는 단계; 및 (c) 상기 전처리된 기판을 N2 가스 분위기에 노출시킨 상태에서 450 ~ 650℃의 소스온도 및 450 ~ 500℃의 성장온도 조건으
HVPE 성장법을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법에 있어서, (a) 기판의 표면을 식각하는 단계; 및 (b) 상기 기판 상에 GaCl을 증착하여 전처리하는 단계; 및 (c) 상기 전처리된 기판을 N2 가스 분위기에 노출시킨 상태에서 450 ~ 650℃의 소스온도 및 450 ~ 500℃의 성장온도 조건으로 성막하여 α-Ga2O3 박막을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 (c) 단계에서, 상기 성막시, 증착 가스는 HCl 5 ~ 30sccm 및 O2 100 ~ 400sccm 조건으로 공급하는 것을 특징으로 하는HVPE 성장법을 이
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