초록 ▼

고체 확산 SOURCE 를 사용하고, 수소주입법과 보론나이트라이드 고속 열처리를 결합한 공정을 이용하여 0.1㎛ 정도의 깊이를 갖는 앝은 p-n 접합성형에 성공하였다. 이 결합공정으로 50-130Q/sq의 면저항 값을 갖는 0.1-0.19㎛ 집합 깊이를 갖는 p-n DIODE를 제작하여 10 A/cm2 의 역방향 누설 전류와 IDEALITY FACTOR 1.02의 순방향 특성을 볼 수 있었다. 따라서 이 공정으로 PMOS 소오스/드레인 CONTACT 의 형성 가능성을 보여주었다. 고체확산 SOURCE PH100N을 사용하고 고속 열

고체 확산 SOURCE 를 사용하고, 수소주입법과 보론나이트라이드 고속 열처리를 결합한 공정을 이용하여 0.1㎛ 정도의 깊이를 갖는 앝은 p-n 접합성형에 성공하였다. 이 결합공정으로 50-130Q/sq의 면저항 값을 갖는 0.1-0.19㎛ 집합 깊이를 갖는 p-n DIODE를 제작하여 10 A/cm2 의 역방향 누설 전류와 IDEALITY FACTOR 1.02의 순방향 특성을 볼 수 있었다. 따라서 이 공정으로 PMOS 소오스/드레인 CONTACT 의 형성 가능성을 보여주었다. 고체확산 SOURCE PH100N을 사용하고 고속 열처리 공정으로 앝은 n+ -p 집합 형성에도 성공하였다. 이 공정으로 34-102Ω/SQ 의 면저항 값을 갖는 0.12-0.22㎛ 깊이의 인(P) 집합 형성을 실현하였다. 이 공정으로 n+ -p DIODE를 만들어 본 방향 역방향 누설 전류가 100nA/cm2로서 이온 주입된 비소(AS) 집합 DIODE에 비해 그 특성이 다소 떨어지는 점이있으나 NMOS 소오스/드레인 CONTACT 으로 사용할 수 있을 것으로 판단 된다. 고속 열산화 공정(RTO)에 대한 연구에서는 PYROMETER를 이용한 온도 제어 방식을 사용하여 웨이퍼들간의 두께 균일도가 ± 2%의 높은 재현성을 가지는 RTO 시스템 제작에 성공하였다. 4인치 웨이퍼상에서의 산화막 두게의 균일도는 가장 자리에서 10mm 되는 영역을 제외한 전 웨이퍼 상에서± 2.5%의 균일도를 나타내었다. RTO 공정에서의 산화온도, 시간과 산화막 두께에 대한 관계를 측정하였다. 0-190초 동안 900-1150℃ 의 온도로서 RTO 공정을 수행할때 10-200A의 산화막이 성장되었음을 알 수 있었다.

목차 Contents

• 제 1 부 고속 열 확산 공정 (RTD)에 관한 연구...21
• 제 1 장 서론...22
• 제 2 장 고속 열확산을 위한 RTP시스템...38
• 제 3 장 보론 나이트라이드 고체 확산 source를 사용한 얕은$p^+-n$접합 형성...43
• 제 4 장 PH1000N고체확산 source를 사용한 인(P)층의 형성...59
• 제 5 장 붕소의 고속열확산에 대한 모델링...73
• 제 6 장 고속열확산시 고려할 사항들...96
• 제 7 장 검토...100
• 제 8 장 결론...114
• 부록...116
• 참고문헌...127
• 제 2 부 고속 열 산화 공정(RTO)에 관한 연구...143
• 제 1 장 서론...144
• 제 2 장 RTO시스템의 제작...146
• 제 3 장 얇은 산화막의 성장과 특성조사...175