$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

4H-SiC PiN 다이오드의 깊은 준위 결함에 따른 전기적 특성 분석
Analysis of Electrical Characteristics due to Deep Level Defects in 4H-SiC PiN Diodes 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.34 no.2, 2024년, pp.111 - 115  

이태희 (광운대학교 전자재료공학과) ,  박세림 (광운대학교 전자재료공학과) ,  김예진 (광운대학교 전자재료공학과) ,  박승현 (광운대학교 전자재료공학과) ,  김일룡 (삼성전자 System LSI사업부 제품기술팀) ,  김민규 (삼성전자 System LSI사업부 제품기술팀) ,  임병철 (삼성전자 System LSI사업부 제품기술팀) ,  구상모 (광운대학교 전자재료공학과)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Silicon carbide (SiC) has emerged as a promising material for next-generation power semiconductor materials, due to its high thermal conductivity and high critical electric field (~3 MV/cm) with a wide bandgap of 3.3 eV. This permits SiC devices to operate at lower on-resistance and higher breakdown...

주제어

#silicon carbide   #PiN diode   #deep level transient spectroscopy   #simulation  

참고문헌 (24)

  1. B. Whitaker, A. Barkley, Z. Cole, B. Passmore, D. Martin, T. R. McNutt, A. B. Lostetter, J. S. Lee and K. Shiozaki, IEEE Trans. Power Electron., 29, 2606 (2013).？ 

  2. X. She, A. Q. Huang, O. Lucia and B. Ozpineci, IEEE Trans. Ind. Electron., 64, 8193 (2017).？ 

  3. K. Kawahara, G. Alfieri and T. J. Kimoto, Appl. Phys., 106, 013719 (2009).？ 

  4. S. Sasaki, K. Kawahara, G. Feng, G. Alfieri and T. J. Kimoto, Appl. Phys., 109, 013705 (2011).？ 

  5. C. van Opdorp, Solid-State Electron., 11, 397 (1968).？ 

  6. P. Blood and J. W. Orton, The Electrical Characterization of Semiconductors: Majority Carriers and Electron States, p.？23. Academic Press, London, San Diego, CA (1992).？ 

  7. D. V. Lang, J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974).？ 

  8. N. M. Johnson, J. Vac. Sci. Technol., 21, 303 (1982).？ 

    상세보기

  9. F. Fabbri, D. Natalini, A. Cavallini, T. Sekiguchi, R. Nipoti and F. Moscatelli, Superlattices Microstruct., 45, 383 (2009).？ 

  10. X. Zhou, G. Pandey, R. Ghandi, P. A. Losee, A. Bolotnikov and T. P. Chow, Mater. Sci. Forum, 963, 516 (2019).？ 

  11. I. C. Kim, J. I. Sim, M. S. Kim and S. Y. Ha, Ceramist, 16, 37 (2013).？ 

  12. L. Storasta, H. Tsuchida, T. Miyazawa and T. Ohshima, J. Appl. Phys., 103, 013705 (2008).？ 

  13. H. M. Ayedh, M. Puzzanghera, B. G. Svensson and R. Nipoti, Mater. Sci. Forum, 897, 279 (2017).？ 

  14. T. Hayashi, K. Asano, J. Suda and T. J. Kimoto, Appl. Phys., 109, 114502 (2011).？ 

  15. P. B. Klein, B. V. Shanabrook, S. W. Huh, A. Y. Polyakov, M. Skowronski, J. J. Sumakeris and M. J. O'Loughlin, Appl. Phys. Lett., 88, 052110 (2006).？ 

  16. P. Hazdra and S. Popelka, Mater. Sci. Forum, 897, 463 (2017).？ 

  17. G. H. Lee, D. W. Byun, M. C. Shin and S. M. Koo, Journal of IKEEE, 26, 50 (2022).？ 

  18. K. Danno, T. Kimoto and H. Matsunami, Mater. Sci. Forum, 483, 355 (2005).？ 

  19. T. Kimoto, Japanese J. Appl. Phys., 54, 040103 (2015).？ 

  20. N. Kaji, H. Niwa, J. Suda and T. Kimoto, IEEE Trans. Electron Devices, 62, 374 (2014).？ 

  21. C. Zechner, M. Tanaka, K. Shimai, N. Zographos, S. Kanie and S. Tsuboi, J. Appl. Phys., 132, 035702 (2022).？ 

  22. K. Kawahara, G. Alfieri and T. J. Kimoto, Appl. Phys., 106, 013719 (2009).？ 

  23. G. Sozzi, M. Puzzanghera, R. Menozzi and R. Nipoti, IEEE Trans. Electron Devices, 66, 3028 (2019).？ 

  24. P. B. Klein, Phys. Status Solidi A, 206, 2257 (2009). 

저자의 다른 논문 :

관련 콘텐츠

오픈액세스(OA) 유형

GOLD

오픈액세스 학술지에 출판된 논문

이 논문과 함께 이용한 콘텐츠

저작권 관리 안내
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로